上海
3000
1+ ¥28.00
上海半导体器件六厂
32
1+ ¥1.00
继电器
富士通继电器LZ-5-K,原装新货,长期特价供应,欢迎咨询. 产品说明:全新原装正品ROSH认证(环保) 品 牌:高见泽TAKAMISAWA(富士通FUJITSU) 类 型 :信号继电器 系 列:LZ系列 型 号 :LZ-5-K 外观尺寸(mm):16.4×21.4×14.8(W×L×H) 重 量 :7.7g 触点参数: 触点形式:1C(SPDT) 触点负载:3A120VAC,30VDC 阻 抗:≤70mΩ 额定电流:3A 电气寿命:≥10万回 机械寿命:≥2000万回 线圈参数: 阻值(士10%): 56Ω 线圈功耗:450mW 额定电压:DC 5V 吸合电压:DC 3.25V 释放电压:DC 0.25V 工作温度:-30℃~+70℃ 绝缘电阻:≥250MΩ 线圈与触点间耐压:2000VAC/1分钟 触点与触点间耐压:750VAC/1分钟 系列: 10A:LZ-1.5VM,LZ-3VM,LZ-5VM,LZ-6VM,LZ-9VM,LZ-12VM,LZ-18VM,LZ-24VM,LZ-48VM,LZ-100VM,LZ-1.5V,LZ-3V,LZ-5V,LZ-6V,LZ-9V,LZ-12V,LZ-18V,LZ-24V,LZ-48V,LZ-100V, 5A:LZ-1.5H,LZ-3H,LZ-5H,LZ-6H,LZ-9H,LZ-12H,LZ-18H,LZ-24H,LZ-48H,LZ-100H,LZ-1.5HM,LZ-3HM,LZ-5HM,LZ-6HM,LZ-9HM,LZ-12HM,LZ-18HM,LZ-24HMLZ-48HM,LZ-100HM,LZ-1.5HE,LZ-3HE,LZ-5HE,LZ-6HE,LZ-9HE,LZ-12HE,LZ-18HE,LZ-24HE,LZ-48HE,LZ-100HE,LZ-1.5HME,LZ-3HME,LZ-5HME,LZ-6HME,LZ-9HME,LZ-12HME,LZ-18HME,LZ-24HME,LZ-48HME,LZ-100HME, 3A:LZ-1.5,LZ-3,LZ-5,LZ-6,LZ-9,LZ-12,LZ-18,LZ-24,LZ-48,LZ-100, LZ-1.5M,LZ-3M,LZ-5M,LZ-6M,LZ-9M,LZ-12M,LZ-18M,LZ-24M,LZ-48M,LZ-100M,LZ-1.5E,LZ-3E,LZ-5E,LZ-6E,LZ-9E,LZ-12E,LZ-18E,LZ-24E,LZ-48E,LZ-100E,LZ-1.5ME,LZ-3ME,LZ-5ME,LZ-6ME,LZ-9ME,LZ-12ME,LZ-18ME,LZ-24ME,LZ-48ME,LZ-100ME 富士通继电器LZ-12-K,原装新货,长期特价供应,欢迎咨询. 产品说明:全新原装正品ROSH认证(环保) 品 牌:高见泽TAKAMISAWA(富士通FUJITSU) 类 型 :信号继电器 系 列:LZ系列 型 号 :LZ-12-K 外观尺寸(mm):16.4×21.4×14.8(W×L×H) 重 量 :7.7g 触点参数: 触点形式:1C(SPDT) 触点负载:3A120VAC,30VDC 阻 抗:≤70mΩ 额定电流:3A 电气寿命:≥10万回 机械寿命:≥2000万回 线圈参数: 阻值(士10%): 320Ω 线圈功耗:450mW 额定电压:DC 12V 吸合电压:DC 7.8V 释放电压:DC 0.6V 工作温度:-30℃~+70℃ 绝缘电阻:≥250MΩ 线圈与触点间耐压:2000VAC/1分钟 触点与触点间耐压:750VAC/1分钟 系列: 10A: LZ-1.5VM,LZ-3VM,LZ-5VM,LZ-6VM,LZ-9VM,LZ-12VM,LZ-18VM,LZ-24VM,LZ-48VM,LZ-100VM,LZ-1.5V,LZ-3V,LZ-5V,LZ-6V,LZ-9V,LZ-12V,LZ-18V,LZ-24V,LZ-48V,LZ-100V, 5A:LZ-1.5H,LZ-3H,LZ-5H,LZ-6H,LZ-9H,LZ-12H,LZ-18H,LZ-24H,LZ-48H,LZ-100H,LZ-1.5HM,LZ-3HM,LZ-5HM,LZ-6HM,LZ-9HM,LZ-12HM,LZ-18HM,LZ-24HM,LZ-48HM,LZ-100HM,LZ-1.5HE,LZ-3HE,LZ-5HE,LZ-6HE,LZ-9HE,LZ-12HE,LZ-18HE,LZ-24HE,LZ-48HE,LZ-100HE,LZ-1.5HME,LZ-3HME,LZ-5HME,LZ-6HME,LZ-9HME,LZ-12HME,LZ-18HME,LZ-24HME,LZ-48HME,LZ-100HME, 3A:LZ-1.5,LZ-3,LZ-5,LZ-6,LZ-9,LZ-12,LZ-18,LZ-24,LZ-48,LZ-100, LZ-1.5M,LZ-3M,LZ-5M,LZ-6M,LZ-9M,LZ-12M,LZ-18M,LZ-24M,LZ-48M,LZ-100M, 富士通继电器LZ-24-K,原装新货,长期特价供应,欢迎咨询. 产品说明:全新原装正品ROSH认证(环保) 品 牌:高见泽TAKAMISAWA(富士通FUJITSU) 类 型 :信号继电器 系 列:LZ系列 型 号 :LZ-24-K 外观尺寸(mm):16.4×21.4×14.8(W×L×H) 重 量 :7.7g 触点参数: 触点形式:1C(SPDT) 触点负载:3A120VAC,30VDC 阻 抗:≤70mΩ 额定电流:3A 电气寿命:≥10万回 机械寿命:≥2000万回 线圈参数: 阻值(士10%): 1280Ω 线圈功耗:450mW 额定电压:DC 24V 吸合电压:DC 15.6V 释放电压:DC 1.2V 工作温度:-30℃~+70℃ 绝缘电阻:≥250MΩ 线圈与触点间耐压:2000VAC/1分钟 触点与触点间耐压:750VAC/1分钟 系列: 10A:LZ-1.5VM,LZ-3VM,LZ-5VM,LZ-6VM,LZ-9VM,LZ-12VM,LZ-18VM,LZ-24VMLZ-48VM,LZ-100VM, LZ-1.5V,LZ-3V,LZ-5V,LZ-6V,LZ-9V,LZ-12V,LZ-18V,LZ-24V,LZ-48VLZ-100V, 5A:LZ-1.5H,LZ-3H,LZ-5H,LZ-6H,LZ-9H,LZ-12H,LZ-18H,LZ-24H,LZ-48H,LZ-100H,LZ-1.5HM,LZ-3HM,LZ-5HM,LZ-6HM,LZ-9HM,LZ-12HM,LZ-18HM,LZ-24HM,LZ-48HM,LZ-100HM,LZ-1.5HE,LZ-3HE,LZ-5HE,LZ-6HE,LZ-9HE,LZ-12HE,LZ-18HE,LZ-24HE,LZ-48HE,LZ-100HE,LZ-1.5HME,LZ-3HME,LZ-5HME,LZ-6HME,LZ-9HME,LZ-12HME,LZ-18HME,LZ-24HME,LZ-48HME,LZ-100HME
会员年限:18年
2000
1+ 面议
宏发
1000
1+ 面议
10
1+ ¥70.00
Siproin(上海...
366
1+ 面议
体声波滤波器/ 优势
其他未分类
项目公司于2020年成立。一家集设计、生产、销售为一体的IDM/CIDM公司;在武汉、苏州、北京、新加坡等多地布局设立研发设计中心、产品中试平台及大规模量产基地;致力于射频前端滤波器制造及其产品应用方案的实施。技术优势分析——材料革新:◆通过高钪掺杂氮化铝薄膜实现超大带宽提出压电薄膜分步层级沉积技术,有效的调节ScAlN薄膜的晶核形成及晶体取向,降低薄膜残余应力,获得成分均一的大尺寸ScAlN薄膜材料。◆基于LN/LT的硅基压电POI衬底提出键合-剥离一体化技术,有效降低异质键合结构剥离退火热应力,提高压电薄膜完整性和均一性。技术优势分析——算法革新:◆高优值体声波谐振器设计——通过自动演进算法产生超低杂波谐振器提出自动演进算法,计算出高频伪模态抑制谐振器,并进行分析,有效抑制高频杂波伪模态。技术优势分析——结构革新:◆高优值体声波谐振器设计——设计新型厚度剪切模式谐振器结构提出新型横向场激励体声波谐振器,有效提高K和Q值,实现高优值。◆大带宽薄膜体声波滤波器研制——设计新型厚度剪切模式谐振器结构采用ScAlN薄膜,通过优化薄膜晶体质量及滤波器拓扑结构,实现大带宽低损耗滤波器。技术优势分析——工艺革新:◆提出分布工艺法优化制程基于分步工艺力学,薄膜封装工艺,提高良率。
会员年限:5年
1
1+ 面议
白光 HAKKO
1
1+ 面议
海尔三洋
8000
1+ 面议
专利数据创新情报
第1章:中国光通信器件行业背景及发展环境分析1.1光通信器件行业定义1.1.1光通信器件行业定义1.1.2光通信器件行业产品结构1.1.3光通信器件在产业链中的地位1.1.4光通信器件行业属性(1)按行业生命周期分类(2)按对经济周期的反应分类1.2光通信器件行业经济环境分析1.2.1国际宏观经济环境分析(1)国际宏观经济现状(2)国际宏观经济预测1.2.2国内宏观经济环境分析(1)国内宏观经济现状(2)国内宏观经济预测1.2.3行业宏观经济环境分析(1)通信设备行业需求情况(2)通信设备行业价格走势(3)通信设备行业出口情况(4)通信设备行业投资情况1.3光通信器件行业政策环境分析1.3.1行业管理体制 第2章:中国光通信器件行业发展状况分析2.1中国光通信器件行业发展状况分析2.1.1光通信器件行业发展概况2.1.2光通信器件行业市场规模分析2.1.3光通信器件行业影响因素分析(1)通信技术升级因素(2)全球分工与产业转移因素(3)宽带接入建设持续升温2.2中国光通信器件市场竞争分析2.2.1中国光通信器件行业竞争结构分析(1)现有竞争者之间的竞争(2)关键要素的供应商议价能力分析(3)消费者议价能力分析(4)行业潜在进入者分析(5)替代品风险分析2.2.2跨国公司在中国的竞争分析(1)Finisar公司在华竞争分析(2)JDSU公司在华竞争分析(3)Oclaro公司在华竞争分析(4)Oplink公司在华竞争分析(5)AFOP公司在华竞争分析(6)住友电工株式会社在华竞争分析(7)IPG公司在华竞争分析 第3章:光有源器件市场分析3.1光有源器件发展概况3.2光有源器件市场规模分析3.3光有源器件主要生产企业分析3.3.1奥兰若3.3.2无锡中兴3.3.3光迅科技3.4光有源器件主要产品市场分析3.4.1光纤放大器市场分析(1)光纤放大器市场需求分析(2)光纤放大器市场竞争格局(3)光纤放大器发展趋势分析3.4.2光纤激光器市场分析(1)光纤激光器市场需求分析(2)光纤激光器市场竞争格局(3)光纤激光器发展趋势分析3.4.3光检测器市场分析3.4.4光转发器市场分析3.4.5光调制器市场分析3.5光有源器件市场前景预测3.5.1高速收发模块技术与市场成为亮点3.5.2光转发模块技术与市场3.5.3VCSEL模块技术与市场3.5.4可调谐激光模块技术与市场3.5.540Gb/sLiNbO3电光调制技术主导市场 第4章:中国光通信器件行业投资分析及预测4.1光通信器件行业及产品市场吸引力评价4.1.1光通信器件行业吸引力评价4.1.2光通信器件行业产品市场吸引力评价4.2中国光通信器件行业投资特性4.2.1光通信器件行业进入壁垒(1)技术壁垒(2)产品认证壁垒(3)客户关系壁垒(4)制造工艺壁垒4.2.2光通信器件行业盈利模式4.2.3光通信器件行业盈利因素4.3光通信器件行业投资兼并与重组整合分析4.3.1光通信器件行业投资兼并与重组整合概况4.3.2国际光通信器件行业投资兼并与重组整合动向4.3.3国内光通信器件行业投资兼并与重组整合动向4.3.4光通信器件行业投资兼并与重组整合特征判断4.4光通信器件行业投资风险分析4.4.1光通信器件行业政策风险4.4.2光通信器件行业技术风险4.4.3光通信器件行业宏观经济波动风险4.4.4光通信器件行业汇率风险4.4.5光通信器件行业其他风险4.5光通信器件行业投资建议4.5.1光通信器件行业投资价值4.5.2光通信器件行业投资方式建议
会员年限:11年
10000
1+ ¥5000.00