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体声波滤波器/ 优势
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项目公司于2020年成立。一家集设计、生产、销售为一体的IDM/CIDM公司;在武汉、苏州、北京、新加坡等多地布局设立研发设计中心、产品中试平台及大规模量产基地;致力于射频前端滤波器制造及其产品应用方案的实施。技术优势分析——材料革新:◆通过高钪掺杂氮化铝薄膜实现超大带宽提出压电薄膜分步层级沉积技术,有效的调节ScAlN薄膜的晶核形成及晶体取向,降低薄膜残余应力,获得成分均一的大尺寸ScAlN薄膜材料。◆基于LN/LT的硅基压电POI衬底提出键合-剥离一体化技术,有效降低异质键合结构剥离退火热应力,提高压电薄膜完整性和均一性。技术优势分析——算法革新:◆高优值体声波谐振器设计——通过自动演进算法产生超低杂波谐振器提出自动演进算法,计算出高频伪模态抑制谐振器,并进行分析,有效抑制高频杂波伪模态。技术优势分析——结构革新:◆高优值体声波谐振器设计——设计新型厚度剪切模式谐振器结构提出新型横向场激励体声波谐振器,有效提高K和Q值,实现高优值。◆大带宽薄膜体声波滤波器研制——设计新型厚度剪切模式谐振器结构采用ScAlN薄膜,通过优化薄膜晶体质量及滤波器拓扑结构,实现大带宽低损耗滤波器。技术优势分析——工艺革新:◆提出分布工艺法优化制程基于分步工艺力学,薄膜封装工艺,提高良率。
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型号Model DP-590 成像器件 1/4"SONYtypeltCCD 制式 PAL/NTSC 像素 PAL:752(H)×582(V) NTSC:768(H)×494(V) 水平清晰度 (彩色)480线,(黑白)570线 功能 彩色/黑白自动转换带菜单 变倍 22倍光学变焦 22Xopticalzoom 最低照度 白天1.0lux,夜晚0.02lux 信噪比S/NRatio 大于50dB(AGCOFF) 运行温度 ﹣10℃to50℃ 电源 DC12V 尺寸 65mm(W)×60mm(H)×107mm(L) 重量 360G 控制接口 线控,RS485控制,IR遥制(选购件) 运行温度 ﹣10℃to50℃ 电源 DC12V 尺寸(宽×高×深) 65mm×60mm×107mm 重量 360G
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