晶体振荡器1.8432 热卖

谐振器

20PPM -20°-70°

会员年限：17年

振荡器OSCDIP144M

晶振(普通)

4MDIP143.3V30PPM

会员年限：18年

晶振4M 3x8

晶体振荡器、滤波器

会员年限：16年

石英晶体振荡器XO75P155.52M 热卖

其他未分类

差分信号(PECL)输出,

会员年限：20年

4M

集成电路IC

封装： DIP

会员年限：20年

JRC--4M

集成电路IC

封装： DIP 批号： 12+

会员年限：13年

Z80PIO/4M

集成电路IC

批号： 09+/10

会员年限：14年

晶振24

压控晶振

20pf±20ppm

会员年限：17年

晶振25.000MHZ

谐振器

会员年限：14年

晶振40000MHz

压控晶振

会员年限：20年

晶振133MHZ 热卖

其他未分类

50703.3v5v

会员年限：16年

RYC8220-4M

集成电路IC

封装： SOP 批号： 09+

会员年限：15年

E3JK-R4M1>4m

集成电路IC

封装： 反射型光电传感器 批号： 08+

会员年限：18年

单结晶体管BT40

微波二极管

会员年限：20年

滤波.晶振4700005LF

贴片、片式电阻

部分现货,请致电查询!82618841

会员年限：15年

表贴晶振27.000M 热卖

其他未分类

会员年限：17年

JZX-4M(RG4.523023)

集成电路IC

批号： 2013

会员年限：21年

MTFC4GACAJCN-4M IT

集成电路IC

封装： BGA 批号： 20+

会员年限：18年

体声波滤波器/ 优势

其他未分类

项目公司于2020年成立。一家集设计、生产、销售为一体的IDM/CIDM公司;在武汉、苏州、北京、新加坡等多地布局设立研发设计中心、产品中试平台及大规模量产基地;致力于射频前端滤波器制造及其产品应用方案的实施。技术优势分析——材料革新:◆通过高钪掺杂氮化铝薄膜实现超大带宽提出压电薄膜分步层级沉积技术,有效的调节ScAlN薄膜的晶核形成及晶体取向,降低薄膜残余应力,获得成分均一的大尺寸ScAlN薄膜材料。◆基于LN/LT的硅基压电POI衬底提出键合-剥离一体化技术,有效降低异质键合结构剥离退火热应力,提高压电薄膜完整性和均一性。技术优势分析——算法革新:◆高优值体声波谐振器设计——通过自动演进算法产生超低杂波谐振器提出自动演进算法,计算出高频伪模态抑制谐振器,并进行分析,有效抑制高频杂波伪模态。技术优势分析——结构革新:◆高优值体声波谐振器设计——设计新型厚度剪切模式谐振器结构提出新型横向场激励体声波谐振器,有效提高K和Q值,实现高优值。◆大带宽薄膜体声波滤波器研制——设计新型厚度剪切模式谐振器结构采用ScAlN薄膜,通过优化薄膜晶体质量及滤波器拓扑结构,实现大带宽低损耗滤波器。技术优势分析——工艺革新:◆提出分布工艺法优化制程基于分步工艺力学,薄膜封装工艺,提高良率。

会员年限：3年

液体传感器

集成电路IC

会员年限：16年